燕东微硅光芯片实现量产突破

近日，燕东微发布2024年半年度报告。报告显示，燕东微在研发投入方面持续保持强劲增长，尤其在硅光新领域取得了显著进展，彰显出在技术创新和市场拓展方面的卓越实力。

研发投入持续加大，核心竞争力不断增强。在当前激烈的市场竞争环境下，燕东微始终坚持创新为核心的发展战略，不断加大新品研发投入，积极推动产品更新换代。上半年研发费用达到11332.63万元，同比增长16.56%。新增专利21个，其中发明专利8个，累计拥有专利数达399个，发明专利85个。在研发强度不断加大的推动下，燕东微产品应用领域不断拓展，除了在新能源汽车、工业控制、消费电子等传统应用领域保持长期稳定的供货外，射频功率器件产品也成功应用于射频广播、移动无线电、射频能源以及工业、科研、医疗等多个具有战略重要性的行业领域，市场地位得到进一步巩固和提升。

硅光工艺全面提升，优势地位持续巩固。近年来，燕东微持续增加的研发投入开始显现成效，今年上半年更是在硅光技术领域取得重大突破，实现了硅光工艺平台产品量产这一里程碑式成就。据了解，燕东微自主研发的SiN硅光工艺技术可通过化学气相淀积（CVD）及复杂图形的光刻与刻蚀，实现无裂纹的化学计量Si3N4薄膜的淀积和低侧壁粗糙度刻蚀，波导损耗达到行业先进水平，在光通信、光互连、激光雷达等产品的规模化量产上取得显著成效。在SiN硅光工艺平台方面取得关键性突破，成功开发5款新产品并顺利转入量产阶段，月产能达到1000片，产品良率高达95%以上。同时，8英寸相关硅光产品方面实现市场化销售，12英寸硅光关键工艺的开发取得良好市场反响，为未来燕东微在硅光领域的持续发展奠定了坚实基础。

展望未来，燕东微将继续加大科研投入，深耕硅光芯片领域，不断推动技术创新与产业升级，积极拓展产品应用领域，持续扩大市场规模、提升产能，在激烈的市场竞争中以强大的科技创新能力保障产业领先优势。